Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5. Юрий Раков и др.
- Тип: Текст PDF
- Авторы:
- Издательство: Новосибирский государственный технический университет(2018)
- ISBN: 978-5-7782-1618-1, 978-5-04-112090-0
- Страниц: 79
- Язык: Русский
115 руб.
Отложить
- Жанры: Учебники и пособия для вузов
- Описание
- Фрагмент
В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии.
